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UV-LED封装和系统设计技术分析

本文摘要:UV-LED单个芯片面积小,便于灵活性设计;但适当的是单个芯片的辐射功率也较低,在很多应用于中无法符合低电磁辐射功率密度的拒绝,这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的最重要原因之一。因此,随着UV-LED的发展,其PCB和系统设计也沦为注目的焦点。 德国 德国KIT的Schneider等明确提出了一种低功率密度的UV-LED模组,将98个395nm的LED芯片密集PCB在陶瓷基板上,可以构建较高的电磁辐射功率密度。

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UV-LED单个芯片面积小,便于灵活性设计;但适当的是单个芯片的辐射功率也较低,在很多应用于中无法符合低电磁辐射功率密度的拒绝,这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的最重要原因之一。因此,随着UV-LED的发展,其PCB和系统设计也沦为注目的焦点。

  德国  德国KIT的Schneider等明确提出了一种低功率密度的UV-LED模组,将98个395nm的LED芯片密集PCB在陶瓷基板上,可以构建较高的电磁辐射功率密度。最初98个LED芯片通过银胶PCB在氧化铝陶瓷基板上,如图所示。单颗LED芯片输出电功率为1.65W,工作电流500mA,结温25℃,输入辐射功率为375mW。

98个芯片串联,整个模组的仅次于输出功率为162W,PCB面积为2.11cm2,热功率密度超过59.2W/cm2。

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